典型文献
SiC MOSFET直流固态断路器短路特性及保护电路
文献摘要：
为了提高用于直流微电网的SiC MOSFET固态断路器(SSCB)的可靠性,对其在较大电感条件下的短路特性和短路保护电路进行了研究.首先对SSCB短路电流分断过程进行了分析,给出了金属氧化物压敏电阻(MOV)的选型依据.在此基础上通过实验研究了不同直流母线电压、不同功率器件结温和不同故障电感下SSCB的短路特性,揭示了SSCB的短路失效模式,分析了SSCB短路电流分断能力的影响因素.设计了基于现场可编程门阵列(FPGA)的电压源型退饱和保护电路,并制作了样机.实验结果表明,所设计的退饱和保护电路实现了短路保护的快速响应,响应时间为593 ns,可有效保护SSCB中的SiC MOSFET.
文献关键词：
SiC MOSFET;固态断路器(SSCB);短路特性;退饱和保护;短路电流分断能力
中图分类号：
作者姓名：
田明玉;任宇;田世鹏;谭羽辰
作者机构：
太原理工大学电气与动力工程学院,太原 030024
文献出处：
引用格式：
[1]田明玉;任宇;田世鹏;谭羽辰-.SiC MOSFET直流固态断路器短路特性及保护电路)[J].半导体技术,2022(07):554-563,569
A类：
SSCB,短路电流分断能力,退饱和保护
B类：
SiC,MOSFET,固态断路器,短路特性,保护电路,直流微电网,短路保护,金属氧化物,压敏电阻,MOV,直流母线电压,功率器件,结温,短路失效,失效模式,现场可编程门阵列,FPGA,样机,电路实现,快速响应,响应时间,ns
AB值：
0.214782
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