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Qplus传感器工艺误差影响的仿真分析
文献摘要：
为了探究微纳加工中的工艺误差对Qplus传感器性能指标的影响,采用基于COMSOL的多物理场有限元数值分析方法建立了包含工艺误差的Qplus传感器仿真模型,评估了湿法刻蚀后侧壁产生的晶棱、双面光刻对准偏差等典型工艺误差对传感器本征频率、弹性系数以及品质因子的影响,并将仿真结果与实测值进行了对比,验证了仿真方法的准确性.结果表明:传感器的弹性系数及本征频率会因为湿法刻蚀后侧壁产生的晶棱明显提高,品质因子受工艺误差影响较小,变化幅度小于10％.分析方法有助于Qplus传感器的设计优化,使制备出的传感器性能参数更接近于预期设计值,同时为其他基于石英的MEMS传感器的仿真设计提供借鉴.
文献关键词：
Qplus传感器;微电子机械系统;工艺误差;有限元仿真;石英单晶;原子力显微镜
中图分类号：
作者姓名：
李磊;张明烨;冷兴龙;张凌云;夏洋;刘涛
作者机构：
中国科学院大学,北京100049;中国科学院微电子研究所,北京100029;北京市微电子制备仪器设备工程技术研究中心,北京100176;集成电路测试技术北京市重点实验室,北京100084
文献出处：
引用格式：
[1]李磊;张明烨;冷兴龙;张凌云;夏洋;刘涛-.Qplus传感器工艺误差影响的仿真分析)[J].传感器与微系统,2022(10):5-9
A类：
Qplus,晶棱,石英单晶
B类：
工艺误差,误差影响,微纳加工,传感器性能,COMSOL,多物理场,有限元数值分析,数值分析方法,传感器仿真,湿法刻蚀,后侧,侧壁,双面,面光,光刻,对准,典型工艺,本征频率,弹性系数,品质因子,实测值,仿真方法,性能参数,设计值,MEMS,仿真设计,微电子机械系统,有限元仿真,原子力显微镜
AB值：
0.285755
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