典型文献
MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究
文献摘要：
微机电系统(MEMS)器件用预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)直接键合制备过程中,预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅(SOI)晶圆的面形参数和键合质量.对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究,分析了衬底片残余应力变形与SOI面形之间的对应关系,用破坏性剪切试验、埋氧层腐蚀等方法研究了衬底层变形对键合质量的影响.结果表明:衬底层的键合面存在一定程度的凸起变形时,Cavity-SOI片的键合质量最好.
文献关键词：
预埋腔体绝缘体上硅;Si-SiO2直接键合;薄膜应力
中图分类号：
作者姓名：
刘福民;杨静;梁德春;吴浩越;马骁;王学锋
作者机构：
北京航天控制仪器研究所,北京100039
文献出处：
引用格式：
[1]刘福民;杨静;梁德春;吴浩越;马骁;王学锋-.MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究)[J].传感器与微系统,2022(03):58-61
A类：
预埋腔体绝缘体上硅,底层变形
B类：
MEMS,Cavity,SOI,晶圆键合,微机电系统,直接键合,制备过程,刻蚀,残余应力,衬底层,键合质量,应力变形,底片,破坏性,剪切试验,合面,凸起,SiO2,薄膜应力
AB值：
0.217531
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