典型文献
SOI基可调谐微环光滤波器设计与性能测试
文献摘要：
基于绝缘体上硅(SOI)制作了单环与双环滤波器,并且对其滤波特性进行研究,同时分析了光耦合系数对滤波器输出特性的影响.针对倏逝波耦合结构较弱的调谐能力,提出了马赫—曾德尔干涉仪(MZI)耦合器的改进结构,微环腔长均为1314μm的单环和双环滤波器,对于单双环,当电极功率分别为18～40 mW和21～33 mW时,可实现滤波器从欠耦合到临界耦合的调谐,且双环滤波器的中心波长在直通端电极功率0～21 mW范围移动了1 nm,相当于一个自由频谱宽度.
文献关键词：
绝缘体上硅;微环谐振器;马赫—曾德尔干涉仪;可调谐性
中图分类号：
作者姓名：
袁玉霞;杨瑞
作者机构：
郑州科技学院电子与电气工程学院,河南郑州450064
文献出处：
引用格式：
[1]袁玉霞;杨瑞-.SOI基可调谐微环光滤波器设计与性能测试)[J].传感器与微系统,2022(12):63-66
A类：
B类：
SOI,光滤波器,滤波器设计,设计与性能,绝缘体上硅,单环,双环,滤波特性,光耦合,耦合系数,输出特性,倏逝波,耦合结构,马赫,干涉仪,MZI,耦合器,微环腔,mW,合到,中心波长,直通,端电极,相当于,谱宽,微环谐振器,可调谐性
AB值：
0.436607
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