典型文献
0.3～8GHz超十倍频程MMIC低噪声放大器设计
文献摘要：
为应对未来射电天文发展对超过十倍频程带宽接收性能的需求,实现厘米波多波段同时观测,使用法国OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工艺研究并设计一款工作频率为0.3～8 GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片.放大器电路采用三级级联放大结构,双电源供电,芯片尺寸为2000μm×1000μm.仿真结果显示,常温下芯片在整个工作频段内增益大于40 dB,噪声温度优于65 K,在8 GHz处达到最低噪声51.4 K,无条件稳定.该芯片工作频率覆盖P,L,S,C,X五个传统天文观测频段,适用于厘米波段的超宽带接收机前端,并满足未来毫米波拓展中频带宽的需求.
文献关键词：
低噪声放大器;三级级联;单片微波集成电路;超宽带
中图分类号：
作者姓名：
李佳伟;李斌
作者机构：
中国科学院上海天文台, 上海 200030;中国科学院大学, 北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]李佳伟;李斌-.0.3～8GHz超十倍频程MMIC低噪声放大器设计)[J].电子元件与材料,2022(04):418-422
A类：
OMMIC,mHEMT
B类：
8GHz,十倍,倍频程,低噪声放大器,射电天文,文发,厘米波,波多,多波段,GaAs,工作频率,超宽带,放大器电路,三级级联,级联放大,双电源供电,芯片尺寸,常温下,频段,dB,噪声温度,无条件稳定,天文观测,测频,宽带接收机,毫米波,中频,频带,单片微波集成电路
AB值：
0.321304
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