典型文献
基于GPS频段的单芯片低噪声放大器设计
文献摘要：
阐述基于110nm工艺设计了一个应用于GPS波段的单片的低噪声放大器,该低噪声放大器采用了片外匹配电感从而降低芯片内部的面积,同时使用了平面螺旋电感作为负载电感,通过设计与仿真,该低噪声放大器在1.575GHz时,工作电流为6.6mA,增益为19.1dB,噪声系数为0.82dB,输入匹配与输出匹配均大于-10dBm,P1dB为-12dBm.
文献关键词：
集成电路设计;低噪声放大器;GPS;噪声系数;增益
中图分类号：
作者姓名：
肖磊
作者机构：
上海电力大学,上海 201306
文献出处：
引用格式：
[1]肖磊-.基于GPS频段的单芯片低噪声放大器设计)[J].集成电路应用,2022(02):10-12
A类：
110nm,575GHz,82dB,10dBm,12dBm
B类：
GPS,频段,单芯片,低噪声放大器,工艺设计,波段,单片,配电,平面螺旋电感,设计与仿真,6mA,噪声系数,P1dB,集成电路设计
AB值：
0.223001
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