典型文献
沉积温度对ALD制备HfO2薄膜结构和性能的影响
文献摘要：
采用原子层沉积(ALD)技术,以四(乙基甲基胺基)铪(TEMAHf)和去离子水为前驱体,沉积温度分别为150、200、250和300℃时,在单面抛光硅片和石英玻璃衬底上制备了HfO2薄膜,并对薄膜进行了表征,研究了沉积温度对HfO2薄膜结构和力学、光学及电学性能的影响.结果表明,当沉积温度低于200℃时,制备的HfO2薄膜为非晶态,在300℃时制备的薄膜结晶度最高;随沉积温度的升高HfO2薄膜厚度减小,表面粗糙度呈现先递增后下降的趋势,硬度和弹性模量均有所下降,残余应力不断增加,折射率略有增加,击穿电压先不变后减小,击穿场强先缓慢增大后明显减小,介电常数先增大后减小.沉积温度为300℃时制备的HfO2薄膜的均匀性和致密性最好,沉积温度为200℃时制备的HfO2薄膜的电学性能最佳.
文献关键词：
HfO2薄膜;原子层沉积(ALD);沉积温度;表面形貌;光电性能
中图分类号：
作者姓名：
赵恒利;杨培志;李赛
作者机构：
云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明 650500;楚雄师范学院物理与电子科学学院,云南楚雄 675000
文献出处：
引用格式：
[1]赵恒利;杨培志;李赛-.沉积温度对ALD制备HfO2薄膜结构和性能的影响)[J].半导体技术,2022(03):205-210,242
A类：
TEMAHf
B类：
沉积温度,ALD,HfO2,薄膜结构,结构和性能,原子层沉积,乙基,胺基,去离子水,前驱体,单面,抛光,硅片,石英玻璃,衬底,电学性能,非晶态,膜结晶,结晶度,薄膜厚度,表面粗糙度,弹性模量,残余应力,折射率,击穿电压,击穿场强,介电常数,致密性,表面形貌,光电性能
AB值：
0.286573
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