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衬底材料对石墨烯薄膜生长影响研究
文献摘要：
石墨烯薄膜在集成电路领域有着光明的前景,为提高石墨烯原位生长质量,研究了石墨烯薄膜分别在Ni、SiO2以及HfO2衬底上的生长情况与成膜机理.采用电子束蒸镀制备了金属Ni与HfO2高K介质薄膜,利用等离子体化学气相淀积(PECVD)法在温度为450℃、衬底偏压为100 V、射频功率为100 W的条件下,分别以Ni、SiO2和HfO2薄膜为衬底制备石墨烯薄膜.测试表明,Ni、SiO2和HfO2衬底均沉积了石墨烯薄膜,其中Ni衬底石墨烯薄膜样品最厚、缺陷最高;SiO2和HfO2石墨烯样品缺陷低,但石墨烯薄膜在HfO2衬底的覆盖率低;通过Ni、SiO2和HfO2薄膜的表面能入手分析得出,碳原子在Ni表面以溶解-析出方式形成连续薄膜,以直接沉积模式在绝缘衬底上生长,高表面能导致石墨烯薄膜在HfO2表面覆盖率低.
文献关键词：
石墨烯薄膜;等离子体化学气相淀积;HfO2薄膜;表面能;碳原子沉积
中图分类号：
作者姓名：
刘姗;王伟;蒋志伟;樊瑞祥;杨玉帅;王凯
作者机构：
河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300401;天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300401
文献出处：
引用格式：
[1]刘姗;王伟;蒋志伟;樊瑞祥;杨玉帅;王凯-.衬底材料对石墨烯薄膜生长影响研究)[J].电子元件与材料,2022(07):680-685
A类：
等离子体化学气相淀积,碳原子沉积
B类：
衬底,石墨烯薄膜,薄膜生长,生长影响,集成电路,光明,原位生长,生长质量,SiO2,HfO2,生长情况,成膜机理,电子束,蒸镀,PECVD,偏压,射频功率,测试表明,表面能,沉积模式,绝缘,上生,高表面
AB值：
0.214597
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