典型文献
PLD法制备ITO导电薄膜及其性能
文献摘要：
为了研制可用于高温环境下进行应变测量的应变层,采用脉冲激光沉积(PLD)法在陶瓷基底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜.研究了PLD法中不同基底温度对ITO薄膜显微结构、电学性能以及阻温特性的影响.采用X射线衍射仪(XRD)测试了薄膜的晶体结构,通过四点探针测量法测得薄膜的薄层电阻,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)对薄膜进行表面形貌分析.结果 发现制备的ITO薄膜呈现出体心立方(BCC)结构,且沿(222)晶面优先生长,薄膜的晶粒尺寸随着基底温度的升高而增加,ITO薄膜的电学性能受基底温度的影响显著,电阻率随着衬底温度的升高而降低.最后,搭建测试平台在25～1050℃内测试了不同基底温度下制备的ITO薄膜的电阻温度系数(TCR).结果 表明,ITO薄膜的电阻温度系数随基底温度的升高而降低,在基底温度为600℃下制备的ITO薄膜具有最小的TCR值,为-259.575×10-6℃-1.
文献关键词：
脉冲激光沉积(PLD);基底温度;氧化铟锡(ITO)薄膜;应变测量;电阻温度系数(TCR)
中图分类号：
作者姓名：
姚雪;谭秋林
作者机构：
中北大学省部共建动态测试技术国家重点实验室,太原030051;中北大学山西省微米纳米工程技术研究中心,太原030051
文献出处：
引用格式：
[1]姚雪;谭秋林-.PLD法制备ITO导电薄膜及其性能)[J].微纳电子技术,2022(02):180-186
A类：
B类：
PLD,ITO,导电薄膜,高温环境,应变测量,脉冲激光沉积,陶瓷基底,氧化铟锡,基底温度,显微结构,电学性能,温特,晶体结构,四点,测量法,薄层,场发射扫描电子显微镜,FESEM,表面形貌,形貌分析,体心立方,BCC,晶面,晶粒尺寸,电阻率,衬底温度,测试平台,内测,电阻温度系数,TCR
AB值：
0.272785
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