典型文献
高压IGBT短路热点研究和性能改进
文献摘要：
为提升高压IGBT的抗短路能力,进一步改善短路与通态压降的矛盾关系,研究了IGBT背面工艺对抗短路能力的影响.通过TCAD仿真,在IGBT处于负载短路工作期间,针对场终止(FS)层n型注入剂量和集电区硼注入剂量对IGBT芯片内部热点位置变化的影响进行了研究.仿真结果表明,提高FS层n型注入剂量可将热点由元胞沟道转移到FS/n-结附近,有利于IGBT抗短路能力的提升;通过对FS层和集电区注入剂量的优化,通态压降在常温和高温下的差值进一步减小,有利于芯片并联应用.开发3 300 V/62.5 A IGBT芯片,并封装成1 500 A电流规格成品,其通态压降为2.43 V,常温和高温下的通态压降差值降低0.11 V,通过了 20 V栅压13 kA(8.7倍额定电流)的短路电流和3 000 A大电流关断能力的测试.
文献关键词：
高压IGBT;短路;场终止(FS)层;通态压降;芯片热点
中图分类号：
作者姓名：
周东海;张大华;叶枫叶;高东岳;晁武杰
作者机构：
南瑞集团(国网电力科学研究院)有限公司,南京 211106;南瑞联研半导体有限责任公司,南京 211100;国网福建省电力有限公司 电力科学研究院,福州 350007
文献出处：
引用格式：
[1]周东海;张大华;叶枫叶;高东岳;晁武杰-.高压IGBT短路热点研究和性能改进)[J].半导体技术,2022(03):192-198
A类：
通态压降,集电区,芯片热点
B类：
IGBT,热点研究,性能改进,抗短路能力,矛盾关系,背面,TCAD,负载短路,FS,注入剂量,元胞,沟道,封装,装成,降为,kA,额定电流,短路电流,大电流,关断
AB值：
0.240829
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