典型文献
原位制备Ti3C2Tx/Si肖特基近红外光电探测器
文献摘要：
溶液法合成的MXene材料在大规模均匀制备光电器件方面面临挑战,物理气相沉积方法为MXene材料的制备和光电器件的原位制备提供了新的途径.采用脉冲激光沉积(PLD)技术和酸化处理的方法在硅衬底上合成了高质量Ti3C2Tx薄膜,并以此高电导率的Ti3C2Tx为接触电极,成功地原位制备了 Ti3C2Tx/Si肖特基二极管.光电特性表征结果表明,制备的器件具有优异的近红外响应的特性.在波长980 nm入射光辐射下,器件的响应度高达91.4 mA/W,上升时间和下降时间分别为11.9 μs和60.0μs.Ti3C2Tx/Si肖特基近红外光电探测器被用作光容积描记术(PPG)传感器,由于其优异的近红外响应特性降低了环境中可见光的干扰,采集的PPG脉搏波相较于商用器件更加稳定可靠,所测心率与商用袖带式血压计测量结果相当.提出的原位制备器件方法为MXene基光电探测器的研制提供了重要参考.
文献关键词：
MXene;脉冲激光沉积(PLD);肖特基结;近红外光电探测器;光容积描记术(PPG)
中图分类号：
作者姓名：
夏宇;茆书明;陆梦雪;于永强
作者机构：
合肥工业大学微电子学院,合肥 230601
文献出处：
引用格式：
[1]夏宇;茆书明;陆梦雪;于永强-.原位制备Ti3C2Tx/Si肖特基近红外光电探测器)[J].微纳电子技术,2022(10):997-1003
A类：
B类：
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AB值：
0.257403
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