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压接型IGBT器件升温曲线测量方法
文献摘要：
利用热网络模型和有限元仿真分析了压接型IGBT器件升降温曲线不具有等效性的原因,研究了压接型IGBT器件升温曲线的测量方法,对比了大电流通态压降(VCE)法和大电流阈值电压(VGE,th)法的测量原理,对压接型器件的适用性和测量准确度等.仿真结果表明,接触热阻在升温和降温阶段受压力的影响出现了不同的变化趋势,导致了升降温曲线的非等效性.实验结果表明,大电流VGE,th法有效降低了压力对测量带来的影响,测量更为准确,测量误差基本在1K以内,低于大电流VCE法,为压接型IGBT器件进一步的多物理场耦合研究和老化监测提供了参考.此外,实验结果还表明压接型IGBT器件在升降温过程中,压力变化越大,升降温曲线的差异越明显.
文献关键词：
压接型IGBT器件;升降温等效性;升温曲线测量;大电流通态压降(VCE)法;大电流阈值电压(VGE;th)法
中图分类号：
作者姓名：
钟岩;张一鸣;邓二平;谢露红;黄永章
作者机构：
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京 102206;合肥工业大学电气与自动化工程学院,合肥 230009
文献出处：
引用格式：
[1]钟岩;张一鸣;邓二平;谢露红;黄永章-.压接型IGBT器件升温曲线测量方法)[J].半导体技术,2022(12):1014-1026
A类：
升温曲线测量,通态压降,VGE,升温和降温阶段,升降温等效性
B类：
压接型,IGBT,热网络模型,有限元仿真分析,降温曲线,大电流,VCE,阈值电压,th,测量原理,测量准确度,接触热阻,受压,测量误差,1K,多物理场耦合,耦合研究,老化监测,压力变化
AB值：
0.186241
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