典型文献
基于薄外延的ESD结构设计
文献摘要：
采用薄外延圆片能有效提升抗辐射芯片的抗单粒子闩锁能力,但实测发现栅极接地MOS(GGMOS)结构在薄外延圆片下静电放电(ESD)性能衰减明显.对其衰减机理进行分析,设计了电源钳位ESD结构,对其进行了完整的ESD性能仿真,分析并优化了芯片ESD保护网络,实测结果表明ESD性能满足4 kV设计需求.
文献关键词：
静电放电保护;薄外延片;电源钳位
中图分类号：
作者姓名：
李晓蓉;吴建东;高国平
作者机构：
中科芯集成电路有限公司,江苏无锡 214072
文献出处：
引用格式：
[1]李晓蓉;吴建东;高国平-.基于薄外延的ESD结构设计)[J].电子与封装,2022(08):74-78
A类：
GGMOS,电源钳位,静电放电保护,薄外延片
B类：
ESD,抗辐射,单粒子闩锁,栅极,性能衰减,衰减机理,性能仿真,保护网,实测结果,kV,设计需求
AB值：
0.2705
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