典型文献
一种防闩锁的多嵌入阱SCR ESD器件
文献摘要：
针对高压BCD工艺使用SCR器件ESD保护时面临的高触发电压与低维持电压之间的矛盾,设计了 一种多嵌入阱可控硅(MEWSCR)结构.相比于常规SCR结构,首先,通过移动阳极/阴极的N+/P+掺杂区引入辅助泄放器件,MEWSCR结构实现了二次触发,增加了维持电压;其次,通过在阳极P+区和阴极N+区下方分别嵌入N浅阱和P浅阱,增强非平衡载流子的SRH复合作用,降低SCR的再生反馈效应,提高了维持电流.基于0.18 μm BCD工艺,采用TCAD软件进行模拟.结果表明,新型MEWSCR器件的维持电压提升至23 V,维持电流提升1 A以上,满足ESD设计窗口要求.
文献关键词：
静电放电;硅控整流器;维持电压;闩锁
中图分类号：
作者姓名：
侯佳力;胡毅;贺俊敏;王源
作者机构：
北京智芯微电子科技有限公司,北京100192;北京大学集成电路学院,北京100871;北京大学微电子器件与电路教育部重点实验室,北京100871
文献出处：
引用格式：
[1]侯佳力;胡毅;贺俊敏;王源-.一种防闩锁的多嵌入阱SCR ESD器件)[J].微电子学,2022(01):91-97
A类：
MEWSCR,硅控整流器
B类：
闩锁,ESD,BCD,触发电压,低维,维持电压,可控硅,阳极,阴极,N+,P+,泄放,非平衡,载流子,SRH,复合作用,反馈效应,维持电流,TCAD,静电放电
AB值：
0.366359
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
