典型文献
一种高维持电压的新型闩锁免疫双向可控硅
文献摘要：
传统DDSCR器件过低的维持电压容易造成闩锁效应.提出了一种新型DDSCR,在传统器件阳极与阴极之间加入了浮空高掺杂的N+与P+有源区,通过P+有源区复合阱内的电子,N+有源区将电流通过器件深处电阻较低SCR路径泄放的方式来解决传统器件维持电压过低的问题,提高器件抗闩锁能力.基于TCAD的仿真结果表明,与传统DDSCR相比,新型器件的维持电压从2.9 V提高到10.5 V,通过拉长关键尺寸D7,可将器件维持电压进一步提高到13.7 V.该器件适用于I/O端口存在正负两种电压的芯片防护.
文献关键词：
静电放电;维持电压;双向可控硅;闩锁效应;TCAD仿真
中图分类号：
作者姓名：
孙浩楠;李浩亮;杨潇楠
作者机构：
郑州大学信息工程学院,郑州450000
文献出处：
引用格式：
[1]孙浩楠;李浩亮;杨潇楠-.一种高维持电压的新型闩锁免疫双向可控硅)[J].微电子学,2022(06):1044-1049
A类：
高维持电压,DDSCR
B类：
双向可控硅,闩锁效应,阳极,阴极,浮空,N+,P+,有源,源区,深处,泄放,压过,TCAD,新型器件,拉长,关键尺寸,D7,压进,端口,正负,静电放电
AB值：
0.299
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