典型文献
一种高维持电压的LVTSCR
文献摘要：
对于工作电压为5 V的集成电路,低压触发可控硅(LVTSCR)的触发电压已能满足ESD保护要求,但其较低的维持电压会导致严重的闩锁效应.为解决闩锁问题,对传统LVTSCR进行了改进,通过在N阱下方增加一个N型重掺杂埋层,使器件触发后的电流流通路径发生改变,降低了衬底内积累的空穴数量,从而抑制了 LVTSCR的电导调制效应,增加了维持电压.Sentaurus TCAD仿真结果表明,在不增加额外面积的条件下,改进的LVTSCR将维持电压从2.44 V提高到5.57 V,能够避免5 V工作电压集成电路闩锁效应的发生.
文献关键词：
低压触发可控硅;静电放电;高维持电压;埋层
中图分类号：
作者姓名：
陈龙;李健儿;廖楠;徐银森;冯勇;刘继芝;徐开凯;赵建明
作者机构：
电子科技大学电子科学与工程学院,成都610054;四川上特科技有限公司,四川遂宁629299;四川蓝彩电子科技有限公司,四川遂宁629000;四川遂宁市利普芯微电子有限公司,四川遂宁629299
文献出处：
引用格式：
[1]陈龙;李健儿;廖楠;徐银森;冯勇;刘继芝;徐开凯;赵建明-.一种高维持电压的LVTSCR)[J].微电子学,2022(01):87-90,97
A类：
高维持电压,LVTSCR,低压触发可控硅
B类：
工作电压,集成电路,触发电压,ESD,闩锁效应,埋层,流流,衬底,内积,空穴,穴数,电导调制效应,Sentaurus,TCAD,增加额,外面,静电放电
AB值：
0.257376
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