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源端射频干扰下SRAM的抗扰性分析
文献摘要：
目前已有一些在ESD和电磁干扰下存储器行为的表征研究,但对静态随机存取存储器(SRAM)的连续波抗扰度的频率响应特性的研究很少.文章研究了 SRAM在射频电磁干扰下的失效行为与机理.对SRAM芯片进行射频干扰测试发现,SRAM失效行为与其工作模式相关.使用Hspice进行晶体管级仿真.结果表明,SRAM处于数据保持时,抗扰能力很强,处于读写模式时,抗扰能力较弱.进一步研究失效机理发现,电源端干扰会导致路径延时的漂移和抖动,造成SRAM读写失效.该研究可为存储器或系统级芯片的可靠性设计提供指导.
文献关键词：
静态随机存取存储器;电磁干扰;失效机理
中图分类号：
作者姓名：
徐小清;张志文;粟涛
作者机构：
中山大学电子与信息工程学院,广州510006
文献出处：
引用格式：
[1]徐小清;张志文;粟涛-.源端射频干扰下SRAM的抗扰性分析)[J].微电子学,2022(01):139-143
A类：
Hspice
B类：
射频干扰,SRAM,抗扰性,ESD,电磁干扰,下存,表征研究,静态随机存取存储器,连续波,抗扰度,频率响应特性,失效行为,干扰测试,晶体管,数据保持,读写,失效机理,路径延时,漂移,抖动,系统级,可靠性设计
AB值：
0.329581
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