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应用于5 V电压电路的新型闩锁免疫LVTSCR
文献摘要：
传统低压触发可控硅(LVTSCR)维持电压过低,应用于片上ESD防护时存在闩锁风险.文章提出了 一种嵌入分流路径的LVTSCR.基于0.18 μm CMOS工艺,使用Sentaurus-TCAD软件模拟人体模型,对器件准静态特性进行了分析.结果表明,新型器件在保持触发电压、ESD防护性良好的情况下,有效提高了维持电压.对关键尺寸D6进行优化,该器件的维持电压提高到5.5 V以上,器件可安全应用于5 V电压电路,避免了闩锁效应.
文献关键词：
静电放电;可控硅;维持电压;闩锁;分流
中图分类号：
作者姓名：
王松岩;范晓梅;朱治华;张英韬;王耀;刘俊杰;陈睿科
作者机构：
郑州大学信息工程学院,郑州450000
文献出处：
引用格式：
[1]王松岩;范晓梅;朱治华;张英韬;王耀;刘俊杰;陈睿科-.应用于5 V电压电路的新型闩锁免疫LVTSCR)[J].微电子学,2022(01):120-124
A类：
LVTSCR,低压触发可控硅
B类：
压电,维持电压,压过,ESD,流路,CMOS,Sentaurus,TCAD,软件模拟,拟人,人体模型,准静态,静态特性,新型器件,触发电压,防护性,关键尺寸,D6,安全应用,闩锁效应,静电放电
AB值：
0.385237
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