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抗辐射低功耗流水线型8位100 MS/s ADC
文献摘要：
设计并实现了 一种抗辐射低功耗流水线型8位ADC.对流水线型结构的分辨率影响进行分析,确定了最优的级间分辨率和流水线结构.采用多种电路的结构设计,降低了电路功耗.为达到抗辐射指标,对电路进行了抗辐射加固设计.测试结果表明,在3 V电源电压、100 MHz时钟输入频率、70.1 MHz模拟输入频率的条件下,该ADC的SFDR为59.6 dBc,稳态总剂量能力为2 500 Gy(Si),单粒子闩锁阈值为75 MeV·cm2/mg,功耗为69 mW.该ADC采用0.35μm CMOS工艺制作,面积为0.75 mm2.该ADC适用于空间环境的通信系统.
文献关键词：
模数转换器;流水线;低功耗;抗辐射
中图分类号：
作者姓名：
周晓丹;刘涛;付东兵;李强;刘杰;郭刚
作者机构：
电子科技大学电子科学与工程学院,成都610054;重庆吉芯科技有限公司,重庆401332;中国科学院兰州近代物理研究所,兰州730099;北京原子能研究院,北京102413
文献出处：
引用格式：
[1]周晓丹;刘涛;付东兵;李强;刘杰;郭刚-.抗辐射低功耗流水线型8位100 MS/s ADC)[J].微电子学,2022(02):295-300
A类：
B类：
低功耗,线型,ADC,流水线结构,抗辐射加固设计,电源电压,MHz,时钟,输入频率,模拟输入,SFDR,dBc,总剂量,Gy,Si,单粒子闩锁,MeV,mW,CMOS,工艺制作,mm2,空间环境,通信系统,模数转换器
AB值：
0.333182
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