典型文献
氮化硅覆铜基板活性钎焊研究进展
文献摘要：
随着新一代SiC基功率模块器件朝着高功率密度、高工作温度方向快速发展,具备更高可靠性的Si3N4-AMB基板已逐步替代传统的DBC基板,成为SiC器件的首选.从SiC器件对高可靠性封装基板的需求出发,介绍了近年来Si3N4-AMB覆铜基板的研究现状,主要包括Si3N4-AMB覆铜基板的制备工艺、铜/氮化硅陶瓷界面的空洞率控制及高低温冲击可靠性三大方面.
文献关键词：
Si3N4-AMB基板;制备工艺;空洞率;温度冲击;可靠性
中图分类号：
作者姓名：
李伸虎;李文涛;陈卫民;王捷;吴懿平
作者机构：
华中科技大学材料科学与工程学院,湖北 武汉 430074;广州先艺电子科技有限公司,广东 广州 510000
文献出处：
引用格式：
[1]李伸虎;李文涛;陈卫民;王捷;吴懿平-.氮化硅覆铜基板活性钎焊研究进展)[J].电子工艺技术,2022(04):187-191,203
A类：
B类：
铜基,钎焊,SiC,功率模块,高功率密度,高工作温度,高可靠性,Si3N4,AMB,DBC,封装基板,制备工艺,氮化硅陶瓷,空洞率,率控制,高低温,低温冲击,温度冲击
AB值：
0.332618
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