典型文献
银铜钛焊膏制备Si3N4陶瓷覆铜基板工艺
文献摘要：
随着电力电子向高功率、大电流、高能量密度的方向快速发展,市场对于更高可靠性的氮化硅陶瓷覆铜基板的需求越来越迫切.界面空洞率是衡量AMB陶瓷覆铜基板性能的重要指标之一.采用AgCuTi活性焊膏作为钎料,研究了预脱脂工艺和不同钎焊压力对氮化硅陶瓷覆铜基板界面空洞率的影响.结果表明,采用预脱脂工艺能显著降低界面空洞率,在预脱脂且施加400 N钎焊压力的工艺条件下,界面空洞率近乎为0,界面剥离强度可达17.3 N/mm.
文献关键词：
Si3N4陶瓷覆铜基板;AgCuTi焊膏;空洞率;剥离强度
中图分类号：
作者姓名：
李伸虎;李文涛;陈卫民;王捷;吴懿平
作者机构：
华中科技大学材料科学与工程学院,湖北 武汉 430074;广州先艺电子科技有限公司,广东 广州 510000
文献出处：
引用格式：
[1]李伸虎;李文涛;陈卫民;王捷;吴懿平-.银铜钛焊膏制备Si3N4陶瓷覆铜基板工艺)[J].电子工艺技术,2022(03):125-127,138
A类：
B类：
焊膏,Si3N4,铜基,基板,电力电子,高功率,大电流,高能量密度,高可靠性,氮化硅陶瓷,空洞率,AMB,AgCuTi,钎料,脱脂工艺,钎焊,艺能,工艺条件,近乎,界面剥离,剥离强度
AB值：
0.329273
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