典型文献
一种双面散热SiC MOSFET功率模块的设计与测试
文献摘要：
现有的SiC模块大多沿用传统的基于硅基模块的封装,难以支持SiC芯片在高温、高频下的应用.为了进一步发挥SiC芯片的性能,设计了一款双面散热半桥模块.模块内部由SiC MOSFET芯片与金属垫片构成,在实现双面散热的同时完全消除了键合线,提高了可靠性,降低了寄生参数.首先,通过ANSYS Q3D EXTRACTOR软件提取模块的寄生参数,结果表明模块功率回路的寄生电感为5.45 nH.利用多物理场仿真软件COMSOL证实该双面散热结构相比传统的单面散热结构能够减少30％的芯片结温.随后展示了模块的制备工艺流程.最后,动、静态实验测试结果表明该模块具有良好的动态与静态特性.
文献关键词：
SiC MOSFET;功率模块;双面散热结构;寄生电感;有限元仿真
中图分类号：
作者姓名：
谭羽辰;任宇;田世鹏;田明玉
作者机构：
太原理工大学 电气与动力工程学院,太原 030024
文献出处：
引用格式：
[1]谭羽辰;任宇;田世鹏;田明玉-.一种双面散热SiC MOSFET功率模块的设计与测试)[J].半导体技术,2022(09):725-731
A类：
EXTRACTOR,双面散热结构
B类：
SiC,MOSFET,功率模块,设计与测试,沿用,硅基,基模,封装,半桥,垫片,全消,键合线,寄生参数,Q3D,取模,回路,寄生电感,nH,多物理场仿真,COMSOL,单面,芯片结温,制备工艺,静态实验,实验测试,静态特性,有限元仿真
AB值：
0.316953
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