典型文献
SiC MOSFET功率模块的并联均流研究
文献摘要：
采用多芯片并联的方法可提高SiC MOSFET功率模块的应用电流等级,但由于并联支路的杂散参数差异导致流过各并联芯片的电流不一致,这将影响功率模块的可靠性.建立了典型的三芯片并联半桥模块电路模型,分别改变功率回路和驱动回路的杂散参数并计算其不均衡度,使用双脉冲测试方法测试相应的开、关电流,计算其电流不均衡度.研究了模块内部各杂散参数对多芯片并联均流能力的影响,结果表明,功率模块的瞬态均流能力受源极电感影响较大,稳态均流能力受杂散电阻影响较大.提出了一种基于芯片源极互连降低并联均流不均衡度的方法,仿真结果表明该方法可有效降低源极参数对多芯片并联均流能力的影响.
文献关键词：
功率模块;封装技术;杂散电感;并联均流;源极互连
中图分类号：
作者姓名：
黄轶愚;谭会生;吴义伯;戴小平
作者机构：
湖南工业大学轨道交通学院,湖南株洲 412007;长沙理工大学近地空间电磁环境监测与建模湖南省普通高校重点实验室,长沙 410015;武汉大学微电子学院,武汉 430072;湖南国芯半导体科技有限公司,湖南株洲 412001
文献出处：
引用格式：
[1]黄轶愚;谭会生;吴义伯;戴小平-.SiC MOSFET功率模块的并联均流研究)[J].半导体技术,2022(06):481-487
A类：
源极互连
B类：
SiC,MOSFET,功率模块,并联均流,多芯,支路,参数差异,流过,半桥,模块电路,电路模型,变功率,回路,均衡度,双脉冲测试,瞬态,片源,连降,封装技术,杂散电感
AB值：
0.282717
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
