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双向Buck/Boost变换器中SiC MOSFET串扰分析与抑制
文献摘要：
由于寄生参数的影响,SiC MOSFET应用于双向Buck/Boost变换器时会出现串扰现象,在高速开关过程中会产生额外损耗甚至发生误导通,影响变换器的安全可靠运行.针对双向Buck/Boost变换器在Buck模式及Boost模式运行时出现的串扰电压,首先提取相关寄生电容和寄生电感参数,建立了含寄生参数的LTspice仿真模型,并搭建实验测试装置验证了模型的正确性.然后利用所建LTspice模型分析寄生电感参数对串扰电压的影响规律,提出了在Buck模式和Boost模式中分别采用不同的串扰抑制方法,并验证了所提方法的有效性.
文献关键词：
SiC MOSFET;寄生参数;串扰抑制;Buck/Boost;驱动电路
中图分类号：
作者姓名：
张昊;孟润泉;李新宇;曹锐;郭卓燕
作者机构：
太原理工大学 电气与动力工程学院,太原 030024;太原市优特奥科电子科技有限公司,太原 030006
文献出处：
引用格式：
[1]张昊;孟润泉;李新宇;曹锐;郭卓燕-.双向Buck/Boost变换器中SiC MOSFET串扰分析与抑制)[J].半导体技术,2022(05):360-368
A类：
B类：
Buck,Boost,变换器,SiC,MOSFET,寄生参数,关过,误导,导通,可靠运行,寄生电容,寄生电感,电感参数,LTspice,实验测试,测试装置,装置验证,串扰抑制,抑制方法,驱动电路
AB值：
0.304633
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