典型文献
CMOS-MEMS薄膜热导率的测量
文献摘要：
随着集成电路(IC)特征尺寸的缩小,CMOS微电子器件发热功率密度急剧增加,相应热能在不同薄膜层内传输.为了助力IC芯片封装热管理及MEMS热学芯片的设计与优化,CMOS-MEMS薄膜热导率的测量尤为重要,然而现有技术很难在芯片实际工作中进行原位热导率测量.近期深圳大学许威助理教授联合香港科技大学LEE教授团队设计了一种巧妙的MEMS结构,提出了一种新的测量方案,可以有效复现芯片工作中薄膜热导率的测量.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
宋翔宇;许威
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]宋翔宇;许威-.CMOS-MEMS薄膜热导率的测量)[J].电子与封装,2022(02):88
A类：
B类：
CMOS,MEMS,热导率,集成电路,IC,特征尺寸,微电子器件,发热功率,功率密度,热能,膜层,芯片封装,热管理,热学,设计与优化,现有技术,深圳大学,助理,香港科技大学,LEE,测量方案,复现
AB值：
0.466868
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
