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SiC MOSFET驱动与保护电路设计
文献摘要：
介绍了SiC MOSFET驱动电路的设计要求,基于ACPL-355JC光耦驱动模块设计了SiC MOSFET驱动和保护电路.该电路具有驱动能力强、响应迅速和多种保护等优势.另外,针对SiC MOSFET开关过程中存在的瞬态电压尖峰和振荡问题,分析了 SiC MOSFET开关过程中产生过电压和振荡的机理,并在此基础上提出一种RC吸收电路参数的计算方法.实验结果表明利用该方法设计的RC吸收电路能够有效解决SiC MOSFET在开关过程中的过电压和振荡问题,从硬件电路上有效降低开关噪声,从而保护功率器件.
文献关键词：
SiC MOSFET;驱动电路;保护电路;尖峰;振荡;吸收电路
中图分类号：
作者姓名：
咸粤飞;崔晓光;胡冰;邵春伟;赵栋;赵振华;闫青亮
作者机构：
中车青岛四方车辆研究所有限公司,山东青岛 266031
文献出处：
引用格式：
[1]咸粤飞;崔晓光;胡冰;邵春伟;赵栋;赵振华;闫青亮-.SiC MOSFET驱动与保护电路设计)[J].半导体技术,2022(08):660-664
A类：
ACPL,355JC,电压尖峰和振荡
B类：
SiC,MOSFET,保护电路,电路设计,驱动电路,光耦,驱动模块,模块设计,驱动能力,关过,瞬态,过电压,RC,吸收电路,方法设计,硬件电路,功率器件
AB值：
0.254106
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