典型文献
一种28 nm工艺下抗单粒子翻转SRAM的12T存储单元设计
文献摘要：
提出一种12T结构的抗单粒子翻转和多节点翻转的SRAM存储单元,通过功能和电荷注入仿真研究该单元结构的读写性能和抗单粒子翻转的能力.研究结果表明:提出的PSQ-12T存储单元的面积为0.95 μm2;数据保持、读和写的静态噪声容限分别为0.37,0.22,0.61 V;静态功耗为1.09 nW;当工作频率为500 MHz时,动态功耗为21.6 μW;发生单节点"1-0"翻转的临界电荷大于500 fC;同一势阱和不同势阱中特定的多节点产生翻转的临界电荷也都大于500 fC.
文献关键词：
SRAM;存储单元;单粒子翻转;多节点翻转;临界电荷
中图分类号：
作者姓名：
韩源源;程旭;韩军;曾晓洋
作者机构：
复旦大学微电子学院,上海201203
文献出处：
引用格式：
[1]韩源源;程旭;韩军;曾晓洋-.一种28 nm工艺下抗单粒子翻转SRAM的12T存储单元设计)[J].现代应用物理,2022(01):135-142,171
A类：
多节点翻转,临界电荷
B类：
单粒子翻转,SRAM,12T,存储单元,单元设计,仿真研究,单元结构,读写性能,PSQ,数据保持,噪声容限,静态功耗,nW,工作频率,MHz,动态功耗,单节点,fC,势阱
AB值：
0.292461
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