典型文献
基于亿门级UltraScale+架构FPGA的单粒子效应测试方法
文献摘要：
UltraScale+架构FPGA采用16 nm FinFET工艺,功耗低且性能高,但存在粒子翻转阈值下降及多位翻转增多等风险.基于线性能量传输(LET)等效机理,选取7Li3+、19F9、35Cl11,14+、48Ti10,15+、74Ge11,20+、127I15,25+、181Ta、209Bi 8种重离子进行直接电离单粒子试验,建立单粒子闩锁(SEL)、翻转阈值、翻转截面及多位翻转的测定方法.结合LET通量及FinFET结构下的注射倾角,搭建甄别单位翻转及多位翻转的识别算法,能够实时处理并实现粒子翻转状态及多位翻转数据的可视化监控.所涉及的单粒子效应(SEE)分析方法能够较为全面地评估该电路的抗辐照特性.
文献关键词：
FinFET;SRAM型FPGA;单粒子效应;多位翻转;抗辐照测试
中图分类号：
作者姓名：
谢文虎;郑天池;季振凯;杨茂林
作者机构：
无锡中微亿芯有限公司,江苏无锡214072
文献出处：
引用格式：
[1]谢文虎;郑天池;季振凯;杨茂林-.基于亿门级UltraScale+架构FPGA的单粒子效应测试方法)[J].电子与封装,2022(07):7-12
A类：
多位翻转,7Li3+,19F9,35Cl11,48Ti10,74Ge11,127I15,25+,181Ta,抗辐照测试
B类：
UltraScale+,FPGA,单粒子效应,FinFET,功耗,阈值下,转增,能量传输,LET,14+,15+,20+,209Bi,重离子,接电,电离,单粒子闩锁,SEL,翻转截面,测定方法,甄别,识别算法,实时处理,转数,可视化监控,SEE,SRAM
AB值：
0.324669
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