典型文献
GaxIn1-xP氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展
文献摘要：
对Ⅲ-V族化合物半导体GaxIn1_xP材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了 GaxIn1-xP材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对GaxIn1-xP外延层质量和GaxIn1-x P太阳电池性能的影响,并对国外研究中用于制备GaxIn1-xP材料的垂直和水平HVPE结构设计、外延的原理和工艺改进、GaxIn1-xP太阳电池的结构等对外延层质量和相关器件性能的影响进行了评述,总结了近年来HVPE法制备GaxIn1-xP材料在太阳电池领域的研究进展,HVPE有望代替MOCVD而成为GaxIn1-xP的主流制备工艺.最后,对HVPE法制备GaxIn1-xP太阳电池的研究成果和难点以及未来研究的重点进行了总结,并对国内在该领域的研究工作指明了方向.
文献关键词：
Ⅲ-Ⅴ族化合物;GaxIn1-xP;氢化物气相外延(HVPE);外延层;太阳电池
中图分类号：
作者姓名：
张嵩;程文涛;王健;程红娟;闫礼;孙科伟;董增印
作者机构：
中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220;中国电子科技集团公司新型半导体晶体材料技术重点实验室,天津 300220;中国电子科技集团公司第十八研究所,天津 300220
文献出处：
引用格式：
[1]张嵩;程文涛;王健;程红娟;闫礼;孙科伟;董增印-.GaxIn1-xP氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展)[J].半导体技术,2022(04):266-273
A类：
GaxIn1
B类：
xP,氢化物,制备工艺,化合物半导体,外延工艺,HVPE,外延层,太阳电池,电池性能,国外研究,直和,工艺改进,相关器,器件性能,MOCVD
AB值：
0.17423
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