典型文献
先进工艺芯片填充冗余金属后的时序偏差分析及修复
文献摘要：
在芯片物理设计的完成阶段,为了满足设计规则中金属密度要求,需要填充冗余金属.增加的金属层会产生额外的寄生电容,导致芯片的时序结果恶化.40 nm以上的工艺节点中,这些额外增加的寄生电容对于时序的影响在0.12％左右,这个时序偏差甚至比静态时序分析与SPICE仿真之间的误差还小,在芯片设计时通常忽略它.然而在使用FinFET结构的先进工艺节点中,这个时序偏差必须要进行修复.以一款FinFET结构工艺的工业级DSP芯片为实例,使用QRC工具对比了芯片填充冗余金属前后寄生电容的变化;使用Tempus工具分析了芯片时序结果发生偏差的原因;最后提出了一种基于Innovus平台的时序偏差修复方法,时序结果通过签核验证,有效提高了时序收敛的效率.
文献关键词：
先进工艺;物理设计;冗余金属;寄生电容;时序修复
中图分类号：
作者姓名：
王秋实;孟少鹏;吴宏强
作者机构：
安徽芯纪元科技有限公司,安徽合肥230031
文献出处：
引用格式：
[1]王秋实;孟少鹏;吴宏强-.先进工艺芯片填充冗余金属后的时序偏差分析及修复)[J].电子技术应用,2022(06):42-44,49
A类：
冗余金属,芯片物理设计,Tempus,Innovus,时序修复
B类：
先进工艺,偏差分析,设计规则,中金,金属层,寄生电容,点中,静态时序分析,SPICE,芯片设计,FinFET,结构工艺,DSP,QRC,片时,结果发生,修复方法,核验
AB值：
0.273409
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