典型文献
200 mm硅外延片时间雾的产生机理及管控方法研究
文献摘要：
针对硅外延加工过程及所处环境,研究了 200mm硅外延片时间雾产生的原因,分析了环境湿度、外延反应前后排外能力以及洁净厂房环境阳离子浓度等影响因素,提出了硅外延反应副产物氯化氢(HC1)和环境中的阳离子是导致硅外延片表面产生时间雾的主要原因.通过增强硅外延设备排外能力降低环境中的阳离子浓度,可有效降低时间雾产生的概率.
文献关键词：
硅外延;时间雾;环境阳离子;载片腔;氯化氢
中图分类号：
作者姓名：
刘勇;仇光寅;邓雪华;杨帆;金龙
作者机构：
南京国盛电子有限公司,南京211111
文献出处：
引用格式：
[1]刘勇;仇光寅;邓雪华;杨帆;金龙-.200 mm硅外延片时间雾的产生机理及管控方法研究)[J].电子与封装,2022(07):49-52
A类：
时间雾,环境阳离子,载片腔
B类：
硅外延片,片时,产生机理,管控方法,加工过程,200mm,环境湿度,前后排,排外,洁净厂房,离子浓度,副产物,氯化氢,HC1,产生时间,外延设备
AB值：
0.267922
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