典型文献
不同钝化层结构对HgCdTe热退火Hg空位调控影响
文献摘要：
对不同钝化层结构的分子束外延(MBE)生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究.获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研发提供基础.研究发现,在热退火过程中,HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝化层结构的不同而发生改变.且这种改变是因为HgCdTe表层的钝化层的存在改变了原始热退火的平衡态过程.同时,通过二次离子质谱(SIMS)测试以及相应的理论拟合进行了验证.
文献关键词：
碲镉汞;Hg空位;钝化层;热退火
中图分类号：
作者姓名：
沈川;刘仰融;孙瑞赟;卜顺栋;陈路;何力
作者机构：
红外材料与器件重点实验室,中科院上海技术物理研究所,上海200083;国科大杭州高等研究院,浙江杭州310024
文献出处：
引用格式：
[1]沈川;刘仰融;孙瑞赟;卜顺栋;陈路;何力-.不同钝化层结构对HgCdTe热退火Hg空位调控影响)[J].红外与毫米波学报,2022(02):425-429
A类：
B类：
钝化层,HgCdTe,热退火,空位,分子束外延,MBE,浓度控制,浓度调控,焦平面器件,平衡态,二次离子质谱,SIMS,试以,碲镉汞
AB值：
0.293773
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