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As注入长波碲镉汞红外探测器工艺研究
文献摘要：
p-on-n结构的碲镉汞红外探测器具有长的少子寿命、低暗电流、高R0A值等优点,是高温器件、长波甚长波器件发展的重要器件结构.而国内还鲜有砷注入掺杂p-on-n长波HgCdTe探测器的相关报道,为了满足军事、航天等领域对高性能长波探测器迫切的应用需求,针对As离子注入的长波p-on-n碲镉汞红外探测器退火工艺技术进行研究.采用二次离子质谱(SIMS)仪分析注入及退火后As离子浓度分布情况,使用半导体参数测试仪表征pn结的I-V特性.研究结果表明,在富汞0.5 h 430℃+20 h 240℃条件下,实现As激活,成功制备As注入长波15μm 640×512的p-on-n碲镉汞红外焦平面器件,器件有效像元率大于99.7％.该研究对长波甚长波碲镉汞p-on-n焦平面器件的制备具有重要意义.
文献关键词：
As注入掺杂;p-on-n;退火激活;碲镉汞;SIMS
中图分类号：
作者姓名：
熊伯俊;李立华;杨超伟;李雄军;赵鹏;万志远
作者机构：
昆明物理研究所,云南 昆明 650223
文献出处：
引用格式：
[1]熊伯俊;李立华;杨超伟;李雄军;赵鹏;万志远-.As注入长波碲镉汞红外探测器工艺研究)[J].红外技术,2022(02):129-133
A类：
退火激活
B类：
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AB值：
0.254667
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