典型文献
甚长波碲镉汞红外探测器制备研究
文献摘要：
报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展.采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了高质量的p-on-n型双层异质结材料.并通过提高材料质量将双层异质结材料的双晶衍射半峰宽控制在30 arcsec以内.基于台面器件加工、表侧壁钝化以及In柱互连工艺,制备了640×512,25μm碲镉汞甚长波红外焦平面器件.通过进一步优化了材料生长和芯片制备工艺,在65 K的工作温度下,该器件的截止波长为14.35μm,有效像元率为98.06％,平均峰值探测率为8.09×1010 cm·Hz1/2·W-1.
文献关键词：
双层异质结;甚长波红外;碲镉汞;红外焦平面探测器
中图分类号：
作者姓名：
田震;宋淑芳;邢艳蕾;孙浩;刘世光
作者机构：
中电科光电科技有限公司,北京 100015
文献出处：
引用格式：
[1]田震;宋淑芳;邢艳蕾;孙浩;刘世光-.甚长波碲镉汞红外探测器制备研究)[J].激光与红外,2022(10):1527-1531
A类：
水平液相外延
B类：
碲镉汞红外探测器,甚长波红外,红外焦平面探测器,最新研究进展,In,杂技,on,双层异质结,异质结材料,高材,材料质量,双晶,半峰宽,arcsec,台面,侧壁,钝化,互连,红外焦平面器件,材料生长,制备工艺,工作温度,截止波长,探测率,Hz1
AB值：
0.268013
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