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碲镉汞红外光电探测器局域场表征研究进展
文献摘要：
碲镉汞材料 (HgCdTe) 是第三代红外探测系统中使用的重要探测材料，其发展水平能基本反映当前红外探测器最优性能指标。近年来，天文、遥感和民用设备对探测器性能提出了更高的要求，这对HgCdTe红外探测器的设计和制备提出了新的挑战。HgCdTe红外探测器更精细的设计和加工技术为提高HgCdTe红外探测器性能提供解决思路。抑制器件的有害局域场、调控器件的有益局域场可以实现器件性能进一步的突破。但是，如何对HgCdTe光电器件局域场进行表征与分析，澄清HgCdTe光电器件中局域场相关的噪声及暗电流起源，是推动器件性能突破需解决的重要关键科学与技术问题。文中将总结HgCdTe红外光电探测器局域场表征与分析的研究进展，为新一代HgCdTe红外光电探测器发展提供基础支撑。
文献关键词：
碲镉汞器件;微区光电流扫描技术;局域场;暗电流
中图分类号：
作者姓名：
刘书宁;唐倩莹;李庆
作者机构：
国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院，浙江 杭州 310024;中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083
文献出处：
引用格式：
[1]刘书宁;唐倩莹;李庆-.碲镉汞红外光电探测器局域场表征研究进展)[J].红外与激光工程,2022(07):
A类：
碲镉汞器件,微区光电流扫描技术,电流扫描
B类：
红外光电探测器,局域场,表征研究,HgCdTe,第三代,红外探测系统,红外探测器,最优性能,天文,加工技术,解决思路,抑制器,器件性能,光电器件,澄清,中局,暗电流,流起,推动器,科学与技术
AB值：
0.178493
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