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银纳米线宽光谱透明导电薄膜研究
文献摘要：
通过旋涂法制备了一系列具有不同浓度参数和方块电阻的银纳米线透明导电薄膜.通过对工艺参数的调整,所制备的薄膜在400～10500 nm波段内具有较高的光学透过率和较好的均匀性.分析了浓度参数对薄膜光电性能的影响:银纳米线浓度越大,银纳米线之间搭建的网络越密集,薄膜的有效导电路径越多,进而提高了薄膜的导电性能.当银纳米线质量浓度为1.0 mg/mL时,薄膜的方块电阻为106.1 Ω/sq,在可见光和红外光谱波段具有较高的光学透过率.为降低薄膜的方块电阻,对薄膜进行了热退火处理,通过升高温度将银纳米线之间的结点进行焊接,降低了银纳米线之间的接触电阻,从而提高了薄膜的导电性.通过对薄膜的热退火处理,在薄膜光学透过率改变幅度较小的情况下,将薄膜的方块电阻从106.1 Ω/sq降低至49.5Ω/sq.
文献关键词：
薄膜;银纳米线;透明导电薄膜;宽光谱;热退火;方块电阻
中图分类号：
作者姓名：
薛凯豪;刘欢;潘永强;韩军
作者机构：
西安工业大学兵器科学与技术学院,陕西西安710021;西安工业大学光电工程学院,陕西西安710021
文献出处：
引用格式：
[1]薛凯豪;刘欢;潘永强;韩军-.银纳米线宽光谱透明导电薄膜研究)[J].光学学报,2022(13):216-222
A类：
B类：
银纳米线,纳米线宽,宽光谱,透明导电薄膜,过旋,旋涂法,方块电阻,波段,透过率,光电性能,导电性能,线质量,sq,可见光,热退火,退火处理,结点,接触电阻,薄膜光学,变幅
AB值：
0.18646
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