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离子束辅助沉积Ta/Zr薄膜及栅网应用研究
文献摘要：
利用离子束辅助沉积方法在Si片上沉积Ta/Zr薄膜,研究辅源离子能量对薄膜表面形貌和粗糙度的影响,通过扫描电镜和光学表面轮廓仪对其表面形貌和粗糙度进行表征.实验结果表明:辅源离子能量对薄膜的生长有很大的影响.Ta/Zr薄膜的沉积速率随着辅源能量的增加而减小,表面粗糙度随着辅源能量的增加先减小后增加,在离子能量为200 eV时,沉积得到的Ta/Zr薄膜较好,这主要因为在溅射过程中,适当的辅源离子能量可促进原子在薄膜表面的迁移,从而减少空隙的生成,引起薄膜表面致密化.在此基础上将该制备工艺固化并应用到栅控脉冲行波管中,该应用得到了较好的效果.
文献关键词：
离子束辅助沉积;栅控脉冲行波管;Ta/Zr薄膜;栅网膜层
中图分类号：
作者姓名：
杨鹏云;张宏志;李文旭;邱立
作者机构：
北京真空电子技术研究所,北京100015
文献出处：
引用格式：
[1]杨鹏云;张宏志;李文旭;邱立-.离子束辅助沉积Ta/Zr薄膜及栅网应用研究)[J].真空电子技术,2022(03):69-74,91
A类：
栅控脉冲行波管,脉冲行波管,栅网膜层
B类：
离子束辅助沉积,Ta,Zr,Si,离子能量,表面形貌,表面轮廓,轮廓仪,沉积速率,表面粗糙度,先减,eV,溅射,空隙,表面致密化,上将,制备工艺,用得
AB值：
0.206757
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