典型文献
双极高功率脉冲磁控溅射技术薄膜制备研究进展
文献摘要：
双极高功率脉冲磁控溅射技术(BP-HiPIMS)在保持靶材粒子高离化率的同时,通过调节"泵出"脉冲电压,控制离子能量和流量,从而改善薄膜的性能,正在得到工业界的广泛关注.在无法施加基体偏压的绝缘基体或薄膜的制备上,BP-HiPIMS拥有更加显著的优势,同时基体接地可以克服悬浮基体快速充电的问题,从而有助于沉积离子向下游扩散增能.BP-HiPIMS选择相对较短的正负脉冲间隔时间、负脉冲持续时间以及较高的正脉冲电压幅值,有利于优化薄膜的性能.近年来国内外学者应用BP-HiPIMS技术制备薄膜取得了显著的成果.相对于常规HiPIMS,BP-HiPIMS所制备的铜膜(Cu)、类金刚石碳基薄膜(DLC)、氮化钛薄膜(TiN)、氮化铬薄膜(CrN)等都表现出更加优异的力学性能,而不同工艺下薄膜沉积速率的变化在不同试验中存在分歧,其影响机制有待进一步探索.
文献关键词：
HiPIMS;BP-HiPIMS;双极脉冲;离子能量;薄膜制备
中图分类号：
作者姓名：
朱祥瑞;韩明月;冯蓬勃;孙玉强;李刘合
作者机构：
北京航空航天大学机械工程及自动化学院 北京 100191;北航歌尔(潍坊)智能机器人有限公司 潍坊 261000
文献出处：
引用格式：
[1]朱祥瑞;韩明月;冯蓬勃;孙玉强;李刘合-.双极高功率脉冲磁控溅射技术薄膜制备研究进展)[J].中国表面工程,2022(05):10-22
A类：
高离化率,类金刚石碳基薄膜
B类：
高功率脉冲磁控溅射技术,薄膜制备,HiPIMS,靶材,脉冲电压,离子能量,工业界,法施,基体偏压,绝缘,快速充电,增能,正负,脉冲间隔,间隔时间,正脉冲,电压幅值,DLC,氮化钛薄膜,TiN,氮化铬薄膜,CrN,不同工艺,薄膜沉积,沉积速率,双极脉冲
AB值：
0.282377
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
