典型文献
不同Ge组分a-Si1-xGex键合层对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响
文献摘要：
采用非晶半导体中间层键合(SIB)实现键合界面失配晶格的阻断是实现高质量Si基InGaAs薄膜制备的最佳选择.本文在InGaAs/Si键合界面插入一层非晶锗硅(a-Si1-xGex)键合层,模拟了不同Ge组分对InGaAs/Si APD复合率、能带、隧穿、电荷堆积等参数的影响.器件在室温下获得极低的暗电流(～10-10 A@95％雪崩电压),增益和增益带宽积分别高达30 GHz和60 GHz.本文将为低噪声近红外APD的研制提供理论指导.
文献关键词：
InGaAs/Si雪崩光电二极管;a-SiGe键合层;暗电流;增益带宽积
中图分类号：
作者姓名：
周锦荣;鲍诗仪;佘实现;黄志伟;柯少颖
作者机构：
闽南师范大学 物理与信息工程学院,福建 漳州 363000
文献出处：
引用格式：
[1]周锦荣;鲍诗仪;佘实现;黄志伟;柯少颖-.不同Ge组分a-Si1-xGex键合层对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响)[J].光子学报,2022(09):116-125
A类：
xGex
B类：
Si1,InGaAs,雪崩光电二极管,非晶,中间层,SIB,键合界面,失配,晶格,薄膜制备,APD,电荷,暗电流,增益带宽积,GHz,低噪声,近红外,SiGe
AB值：
0.268544
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