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短波红外InGaAs焦平面研究进展
文献摘要：
围绕新一代遥感探测仪器应用需求,中国科学院上海技术物理研究所在短波红外InGaAs焦平面探测器领域取得了一系列进展.通过低缺陷外延材料、焦平面芯片制备工艺和低噪声读出电路技术研究,研制实现了最大规模达2560×2048元的10μm中心距1～1.7μm InGaAs焦平面探测器,峰值探测率优于1.0×1013 cmHz1/2/W,有效像素率达到99.7％;研制实现了1280×1024元15μm中心距的1～2.5μm延伸波长探测器,峰值探测率优于5.0×1011 cmHz1/2/W;发展了新体制新结构器件,研制了单片集成4向偏振功能的160×128元偏振焦平面探测器,消光比优于37:1;研制了64×64元盖革雪崩焦平面探测器,时间分辨率达到0.8 ns.
文献关键词：
铟镓砷;焦平面;短波红外;暗电流;偏振探测;雪崩倍增
中图分类号：
作者姓名：
李雪;龚海梅;邵秀梅;李淘;黄松垒;马英杰;杨波;朱宪亮;顾溢;方家熊
作者机构：
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
文献出处：
引用格式：
[1]李雪;龚海梅;邵秀梅;李淘;黄松垒;马英杰;杨波;朱宪亮;顾溢;方家熊-.短波红外InGaAs焦平面研究进展)[J].红外与毫米波学报,2022(01):129-138
A类：
cmHz1,延伸波长
B类：
短波红外,InGaAs,遥感探测,探测仪器,应用需求,中国科学院,技术物,焦平面探测器,制备工艺,低噪声,读出电路,中心距,探测率,像素,新体制,新结构,单片集成,消光比,时间分辨率,ns,铟镓砷,暗电流,偏振探测,雪崩倍增
AB值：
0.272364
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