典型文献
截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器
文献摘要：
采用闭管扩散的方法成功研制了截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器芯片.在分子束外延法(MBE)生长的In0.75Al0.25As/In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As外延材料上,采用砷化锌作为扩散掺杂源、SiNx作为扩散掩膜层,实现了扩散成结.分析了扩散结深和载流子侧向收集宽度、I-V特性、光谱响应特性和探测率,结果表明:150 K温度下,器件暗电流密度0.69 nA/cm2@-10 mV,响应截止波长和峰值波长分别为2.12μm和1.97μm,峰值响应率为1.29 A/W,峰值量子效率达82％,峰值探测率为1.01×1012 cmHz1/2/W.这些结果对后续进一步优化平面型延伸波长InGaAs焦平面探测器有重要的指导意义.
文献关键词：
延伸波长;InAlAs/InGaAs;扩散;暗电流密度;量子效率
中图分类号：
作者姓名：
程吉凤;李雪;邵秀梅;李淘;王红真;马英杰;杨波;龚海梅
作者机构：
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083;中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院大学,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]程吉凤;李雪;邵秀梅;李淘;王红真;马英杰;杨波;龚海梅-.截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器)[J].红外与毫米波学报,2022(05):804-809
A类：
延伸波长,25As,75Ga0,cmHz1
B类：
截止波长,面型,InGaAs,闭管,分子束外延,MBE,In0,75Al0,SiNx,掩膜层,散结,结深,载流子,侧向,光谱响应特性,探测率,暗电流密度,mV,响应率,量子效率,焦平面探测器,InAlAs
AB值：
0.282751
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