典型文献
低维铟基阱-点复合量子结构及光学性能和应用前景
文献摘要：
现代光电信息产业的快速发展对半导体光电器件提出了越来越高的要求,从而推动了半导体低维复合量子结构材料的研究和发展.其中,富铟团簇自组装复合量子结构材料因展现出灵活的结构调控性和优异的光学性能,获得了广泛的关注,成为实现新一代高性能半导体发光器件的重要结构材料.介绍了当前三种典型的低维铟基阱-点复合量子结构材料及其光学性能,重点分析了基于InGaAs材料的富铟团簇自组装阱-点复合量子结构材料的特殊生长机制以及新发现的优异光学性能,详细阐述了这种新的结构在实现新一代光谱功率均匀一致的超宽调谐半导体激光器、偏振双波长激光器以及偏振独立半导体光放大器等方面的应用成果和发展前景.
文献关键词：
激光器;半导体激光器;InGaAs材料;低维复合量子结构;富铟团簇效应;光学增益
中图分类号：
作者姓名：
吴坚;王玉红;邰含旭;郑明;段若楠
作者机构：
北京航空航天大学物理学院,北京100191
文献出处：
引用格式：
[1]吴坚;王玉红;邰含旭;郑明;段若楠-.低维铟基阱-点复合量子结构及光学性能和应用前景)[J].中国激光,2022(19):70-87
A类：
低维复合量子结构,富铟团簇,富铟团簇效应,光学增益
B类：
光学性能,光电信息,信息产业,光电器件,结构材料,自组装,结构调控,发光器件,InGaAs,生长机制,新发现,超宽,宽调谐,半导体激光器,偏振,双波长激光器,半导体光放大器
AB值：
0.1645
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