典型文献
高功率793 nm半导体激光器
文献摘要：
针对掺铥光纤激光器泵浦源的需求,研制了波长为793 nm的高功率半导体激光芯片和尾纤耦合模块.激光器外延采用了非对称大光腔的波导结构,降低了模式损耗,波导采用无铝的GaInP材料,结合真空解理钝化工艺提高了腔面损伤阈值.通过外延结构和腔面镀膜的优化,研制的激光器单管输出功率达到12 W@11A,在输出功率8 W时通过了300 h老化测试.采用7只单管制备了尾纤耦合模块,耦合至100μm NA.0.22光纤中,输出功率为40 W@7A,电-光效率为49.5％@40 W.
文献关键词：
半导体激光器;793 nm;真空解理;空间烧孔
中图分类号：
作者姓名：
周坤;何林安;李弋;贺钰雯;张亮;胡耀;刘晟哲;杨鑫;杜维川;高松信;唐淳
作者机构：
中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光重点实验室,四川绵阳621900
文献出处：
引用格式：
[1]周坤;何林安;李弋;贺钰雯;张亮;胡耀;刘晟哲;杨鑫;杜维川;高松信;唐淳-.高功率793 nm半导体激光器)[J].红外与毫米波学报,2022(04):685-689
A类：
模式损耗,真空解理
B类：
高功率,半导体激光器,掺铥光纤激光器,泵浦,激光芯片,大光,光腔,波导结构,无铝,GaInP,钝化工艺,损伤阈值,腔面镀膜,单管,输出功率,功率达,11A,老化测试,NA,7A,光效,空间烧孔
AB值：
0.360776
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
