典型文献
用于共封装光学的高功率连续波DFB激光器
文献摘要：
为了应对共封装光学(CPO)系统对硅光外置光源提出的高功率、低噪声、低功耗等要求,设计了一种波长在1 310 nm附近的AlGaInAs多量子阱(MQW)高功率连续波(CW)分布反馈(DFB)激光器芯片.通过在有源层MQW的下方插入一层InGaAsP远场减小层,实现光模场向n型包层下移,减小远场发散角的同时降低了量子阱区的光限制因子和整体的光吸收损耗,制作的激光器可以实现高斜率效率、非致冷高温高功率工作.测试结果显示,该激光器在25℃下,阈值电流为20 mA,斜率效率为0.46W/A,输出功率为173 mW@400 mA;当注入电流为300 mA时,激光器的水平和竖直发散角分别是15.2°和19.1°,边模抑制比大于55 dB,洛伦兹线宽小于600 kHz,相对强度噪声(RIN)小于-155 dB/Hz;在85℃高温下,激光器阈值电流为32 mA,输出功率达到112 mW@400 mA.
文献关键词：
共封装光学;连续波;多量子阱;AlGaInAs;分布反馈激光器
中图分类号：
作者姓名：
刘耀;黄永光;张瑞康;刘祎慧
作者机构：
河南仕佳光子科技股份有限公司,河南鹤壁458030;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083
文献出处：
引用格式：
[1]刘耀;黄永光;张瑞康;刘祎慧-.用于共封装光学的高功率连续波DFB激光器)[J].半导体光电,2022(02):267-272
A类：
共封装光学,46W
B类：
高功率,连续波,DFB,CPO,硅光,外置,光源,低噪声,低功耗,AlGaInAs,多量子阱,MQW,CW,有源,InGaAsP,远场,模场,包层,下移,发散角,限制因子,光吸收,吸收损耗,高斜率,致冷,阈值电流,mA,输出功率,mW,竖直,边模抑制比,dB,洛伦兹,线宽,kHz,相对强度噪声,RIN,功率达,分布反馈激光器
AB值：
0.375568
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