典型文献
一种基于130 nm CMOS工艺的K波段上/下双向混频器
文献摘要：
基于130 nm RF CMOS工艺,提出了一种可实现上/下双向变频功能的K波段有源混频器.当收发机工作于接收模式时,双向混频器执行下变频功能,将低噪放大器放大后的射频信号转换为中频信号;当收发机工作于发射模式时,双向混频器则实现上变频功能,将输入的基带信号转换为射频信号并输出至功率放大器.后仿真结果表明,在0 dBm的本振驱动下,混频器工作于上变频模式时的转换增益、噪声系数、输出1 dB压缩点在23～25 GHz范围内分别为-1.1～-0.4 dB、12.9～3.3 dB、-8.2 dBm@24 GHz;工作于下变频工作模式时的转换增益、噪声系数、输入1 dB压缩点在23～25 GHz范围内分别为2.4～3.4 dB、15.2～15.6 dB、-3.6 dBm@24 GHz.混频器芯片面积为0.6 mm2;在1.5V供电电压下,消耗功率12 mW.
文献关键词：
上/下双向混频器;K波段;CMOS;有源巴伦
中图分类号：
作者姓名：
赵玉楠;潘俊仁;彭尧;何进;王豪;常胜;黄启俊
作者机构：
武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉430072
文献出处：
引用格式：
[1]赵玉楠;潘俊仁;彭尧;何进;王豪;常胜;黄启俊-.一种基于130 nm CMOS工艺的K波段上/下双向混频器)[J].电子技术应用,2022(01):94-99
A类：
有源巴伦
B类：
CMOS,波段,混频器,RF,收发机,机工,接收模式,下变频,射频信号,信号转换,中频信号,上变频,基带信号,功率放大器,dBm,本振,转换增益,噪声系数,GHz,mm2,5V,供电电压,mW
AB值：
0.264532
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
