典型文献
多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析
文献摘要：
基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM).详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素.测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能.经过104次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性.通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能.
文献关键词：
嵌入式非易失性存储器(eNVM);多次可编程(MTP)存储器;数据保持能力;Arrhenius模型;加速老化试验;激活能
中图分类号：
作者姓名：
王宇龙;王明
作者机构：
成都锐成芯微科技股份有限公司,成都 610041
文献出处：
引用格式：
[1]王宇龙;王明-.多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析)[J].半导体技术,2022(01):65-69
A类：
数据保持能力,Kibit,HTDR,eNVM
B类：
可编程,非易失性存储器,激活能,BCD,平台设计,设计开发,MTP,详细描述,存储单元,设计特点,操作机,高温条件,Arrhenius,模型设计,高温老化,浮栅,电荷,擦除,能力验证,加速试验,数学拟合,台下,下浮,加速老化试验
AB值：
0.253601
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
