典型文献
铜纳米颗粒有机浮栅存储器的制备与性能表征
文献摘要：
为了降低有机浮栅存储器功能层材料的制作成本,简化器件制备工艺和提高器件存储稳定性,通过多元醇法制取了分散的铜纳米颗粒.基于底栅顶接触型(BGTC)结构,将铜纳米颗粒通过低温旋涂工艺形成薄膜作为电荷俘获层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜作为隧穿层制备了有机非易失性浮栅存储器.由透射电子显微镜测试结果可知,制得的铜纳米颗粒平均直径约为25nm.电学性能测试结果显示,制备的存储器有明显的场效应特性和存储特性,在±80V的编程/擦除电压下可获得24.42 V的存储窗口和104 s以上的电荷保持性能.实验结果表明,铜纳米颗粒可作为金、银、铂等贵金属纳米颗粒的高性能、低成本替代材料,在有机浮栅存储器中具有较好的应用前景.
文献关键词：
铜纳米颗粒;有机浮栅存储器;器件特性;并五苯;聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)
中图分类号：
作者姓名：
白宇杰;尹晋超;杨建红
作者机构：
兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000
文献出处：
引用格式：
[1]白宇杰;尹晋超;杨建红-.铜纳米颗粒有机浮栅存储器的制备与性能表征)[J].半导体技术,2022(06):455-459,467
A类：
有机浮栅存储器,栅顶,BGTC,25nm,存储窗口
B类：
铜纳米颗粒,制备与性能,性能表征,功能层,制作成本,化器,器件制备工艺,存储稳定性,多元醇法,制取,旋涂,电荷,俘获,聚甲基丙烯酸甲酯,PMMA,穿层,非易失性,透射电子显微镜,平均直径,直径约,电学性能,场效应,80V,擦除,贵金属纳米颗粒,器件特性,并五苯
AB值：
0.264707
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