典型文献
非晶含氢碳薄膜本征结构对退火行为的影响
文献摘要：
目的 为在高温工况下服役的含氢碳(a–C:H)薄膜的制备提供新思路.方法 首先利用DP–PECVD和BiP–PECVD两种方法分别在Si基底上制备了两种本征结构不同的a–C:H薄膜,分别在350、450、550、650℃下进行退火处理.通过纳米硬度、X射线光电子能谱、傅里叶转变红外光谱、激光共聚焦拉曼光谱、场发射扫描电镜及CSM摩擦试验机等,分别评价了未退火和不同退火温度下两种不同结构a–C:H薄膜的结构、表面形貌、力学及摩擦学等性能.研究了不同本征结构a–C:H薄膜对退火行为的影响.结果 DP–PECVD方法在制备a–C:H薄膜(A薄膜)的过程中具有更高的沉积速率,是BiP–PECVD法(B薄膜)的1.52倍.随着退火温度的增加,两种方法制备的a–C:H薄膜均发生H脱附,但是A薄膜的脱H转变点为450℃,B薄膜的脱H转变点为350℃.DP–PECVD法制备的a–C:H薄膜在H脱附过程中更容易形成sp3–C,而BiP–PECVD法制备的a–C:H薄膜在此过程中形成sp3–C和sp2–C杂化键的概率基本相同.BiP–PECVD法制备的a–C:H薄膜在退火过程中更容易失去H,且在450℃以上出现大面积剥离,摩擦失效.而DP–PECVD法制备的碳薄膜则表现出更好的热和摩擦学稳定性,在350～650℃均可保持薄膜的完整性,并且在350～550℃退火后保持低至约0.06的摩擦因数.结论 DP–PECVD方法制备的a–C:H薄膜具有更好的热稳定性、力学稳定性及摩擦学稳定性.
文献关键词：
非晶含氢碳薄膜;退火;双极脉冲;直流脉冲;等离子体增强化学气相沉积
中图分类号：
作者姓名：
贾倩;张斌;赖振国;张俊彦
作者机构：
中国科学院兰州化学物理研究所 中国科学院材料磨损与防护重点实验室,兰州 730000;中国科学院大学 材料与光电技术学院,北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]贾倩;张斌;赖振国;张俊彦-.非晶含氢碳薄膜本征结构对退火行为的影响)[J].表面技术,2022(07):98-106
A类：
非晶含氢碳薄膜,含氢碳薄膜
B类：
火行为,高温工况,服役,DP,PECVD,BiP,Si,退火处理,纳米硬度,光电子能谱,变红,共聚焦拉曼光谱,场发射扫描电镜,CSM,摩擦试验,试验机,未退,退火温度,表面形貌,摩擦学,沉积速率,脱附,变点,sp3,sp2,基本相同,摩擦因数,热稳定性,力学稳定性,双极脉冲,直流脉冲,等离子体增强化学气相沉积
AB值：
0.275784
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