典型文献
SiCf/SiC陶瓷基复合材料单颗磨粒磨削试验研究
文献摘要：
对碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料(SiCf/SiC)进行了单颗磨粒磨削试验,研究了脆性去除模式下磨削中侧边崩碎规律.研究结果表明:磨削SiC基体时,基体内裂纹易引发磨削中大块侧边崩碎;磨削纤维时,侧边崩碎宽度随纤维与磨削方向夹角的增大而增大;磨削90°纤维时,提高磨削速度可减小侧边崩碎程度;以50 m/s和90 m/s的磨削速度磨削造成的侧边崩碎宽度比以20 m/s磨削时的侧边崩碎宽度分别小30％和60％;在试验参数范围内,增大磨削用量不会增大磨削中侧边崩碎程度,但可以提高材料去除率.
文献关键词：
陶瓷基复合材料;磨削;侧边崩碎;纤维断裂
中图分类号：
作者姓名：
殷景飞;徐九华;丁文锋;苏宏华;曹洋;何静远
作者机构：
南京航空航天大学机电学院,南京,210016
文献出处：
引用格式：
[1]殷景飞;徐九华;丁文锋;苏宏华;曹洋;何静远-.SiCf/SiC陶瓷基复合材料单颗磨粒磨削试验研究)[J].中国机械工程,2022(15):1765-1771
A类：
侧边崩碎
B类：
SiCf,陶瓷基复合材料,料单,单颗磨粒,磨削试验,碳化硅纤维,纤维增强,碳化硅陶瓷,脆性,内裂纹,大块,夹角,磨削速度,试验参数,参数范围,磨削用量,高材,材料去除率,纤维断裂
AB值：
0.237563
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