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Au-Al共晶键合在MEMS器件封装中应用的研究
文献摘要：
针对微机电系统(MEMS)器件在实际应用中出现的真空封装可靠性低的问题,进行了Au-Al共晶键合实验研究.重点研究了键合金属层的厚度、键合温度和作为键合区域的密封圈的结构对键合样品性能的影响,同时借助3 D超景深测量显微镜对Au-Al共晶键合样品界面的微观结构进行了分析.结果表明:当键合温度为300℃,Au层厚度为600 nm,Al层厚度为200 nm,采用宽度为50μm的密封圈,此时键合样品的综合性能最好,力学性能达到最佳.
文献关键词：
微机电系统;真空封装;Au-Al共晶键合;柯肯达尔效应;键合强度
中图分类号：
作者姓名：
肖斌;邝云斌;虢晓双;侯占强
作者机构：
国防科技大学智能科学学院,湖南长沙410073;湖南省MEMS工程技术研究中心,湖南长沙410073
文献出处：
引用格式：
[1]肖斌;邝云斌;虢晓双;侯占强-.Au-Al共晶键合在MEMS器件封装中应用的研究)[J].传感器与微系统,2022(07):21-24
A类：
B类：
Au,共晶键合,MEMS,微机电系统,真空封装,封装可靠性,金属层,密封圈,品性,景深,达到最佳,柯肯达尔效应,键合强度
AB值：
0.231712
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